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水導(dǎo)激光環(huán)切制孔技術(shù),解決航空發(fā)動機高溫構(gòu)件高質(zhì)高效加工難題

更新時間:2025-12-29點擊次數(shù):324

     封面呈現(xiàn)了隨著先進航空發(fā)動機服役性能的不斷提升,新一代高溫構(gòu)件,需采用SiCf/SiC 陶瓷基復(fù)合材料和氣膜冷卻技術(shù)。水導(dǎo)激光加工具有加工距離長、無加工殘渣和加工效率高等優(yōu)點,適用于 SiCf/SiC 陶瓷基復(fù)合材料高溫構(gòu)件氣膜孔的加工。開展水導(dǎo)激光環(huán)切制孔工藝試驗研究,用時60 s加工出直徑500 μm、深徑比8的近無錐度小孔。水導(dǎo)激光環(huán)切制孔技術(shù)實現(xiàn)了 SiCf/SiC 陶瓷基復(fù)合材料小孔的高質(zhì)高效加工,為航空發(fā)動機高溫構(gòu)件氣膜孔的加工提供了技術(shù)支撐。

 



     1 研究背景

 



       碳化硅纖維增強碳化硅陶瓷基復(fù)合材料(SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料)具有耐高溫、抗氧化、高比剛度、高比強度等特性,是先進航空發(fā)動機高溫構(gòu)件的理想材料。

 

      然而,隨著航空發(fā)動機性能的不斷提升,單純依靠SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料已難以抵御高溫燃?xì)猸h(huán)境。為了提高構(gòu)件的服役性能,需采用氣膜冷卻技術(shù)。該技術(shù)通過在構(gòu)件表面設(shè)計氣膜孔,將冷卻氣體輸送到構(gòu)件表面,形成冷卻氣膜以隔離高溫燃?xì)猓瑥亩@著提升SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料的服役性能。

 

       SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料氣膜孔具有直徑小、深徑比大、錐度小等結(jié)構(gòu)特征,又具有硬脆、分解溫度高、各向異性、非均質(zhì)等材料特點,屬于典型的難加工材料。因此,如何實現(xiàn)SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料氣膜孔的高質(zhì)量加工,已成為亟待解決的關(guān)鍵問題。



 

     2 創(chuàng)新工作

 



       針對SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料氣膜孔所面臨的精密加工需求,大連理工大學(xué)董志剛教授團隊開展了水導(dǎo)激光環(huán)切制孔工藝研究,深入探究了激光單脈沖能量、掃描速度及水束壓力等關(guān)鍵工藝參數(shù)對小孔出入口形貌、錐度的影響規(guī)律,成功實現(xiàn)了直徑為500 µm、深徑比為8 的近無錐度小孔的高質(zhì)高效加工,如圖1和圖2所示。這一研究成果可為后續(xù)水導(dǎo)激光加工SiCf/SiC 陶瓷基復(fù)合材料氣膜孔提供了可靠的工藝支撐。



 

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圖1 小孔出入口形貌



 

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圖2 小孔孔壁微觀形貌

 

       首先,課題組提出了兩步飛秒激光旋切加工方法,由底孔加工和成孔加工兩步組成。底孔加工為粗加工,快速將孔打通形成具有排屑功能的底孔;成孔加工為精加工,去除底孔錐度區(qū)的材料,加工出近無錐度的成孔。兩者結(jié)合解決了SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料小孔加工質(zhì)量與加工效率難以兼顧的問題。

 

       此外,課題組提出水導(dǎo)激光環(huán)切加工方法,利用高壓水射流引導(dǎo)激光,兼具高效冷卻和沖刷碎屑功能,高速水射流即時排屑避免了二次沉積,持續(xù)冷卻抑制了熱累積與熱損傷,具有加工距離長,無加工殘渣和加工效率高等優(yōu)勢,目前課題組用時90 s加工出直徑400 μm、深徑比10的近無錐度小孔,實現(xiàn)了SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料大深徑比小孔的高質(zhì)高效加工。

 

       飛秒激光在抑制加工損傷和實現(xiàn)高精度小孔加工成果顯著,而水導(dǎo)激光在大深徑比和低氧化損傷加工上優(yōu)勢明顯,兩者優(yōu)勢互補,可解決SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料小孔加工質(zhì)量與加工效率難以兼顧的問題,為下一代先進航空發(fā)動機核心高溫構(gòu)件氣膜孔加工提供技術(shù)支撐。



 

    3 后續(xù)工作

 



       在后續(xù)工作中,團隊重點聚焦曲面構(gòu)件小孔的加工理論與技術(shù)研究,突破飛秒激光與水導(dǎo)激光五軸聯(lián)動加工技術(shù),實現(xiàn)航空發(fā)動機SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料渦輪葉片高溫構(gòu)件氣膜孔的加工驗證,推動該技術(shù)的工程化應(yīng)用。


參考文獻: 中國光學(xué)期刊網(wǎng)




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