研究背景

輕量化、低成本、高靈敏度的直接X射線探測(cè)器對(duì)于下一代便攜成像、可穿戴監(jiān)測(cè)及低劑量醫(yī)學(xué)診斷至關(guān)重要。傳統(tǒng)高性能探測(cè)器通常采用厚單晶活性層來提升靈敏度，但這導(dǎo)致器件體積增大、暗電流升高，并與柔性、便攜電子系統(tǒng)的集成復(fù)雜化。盡管鈣鈦礦單晶因其優(yōu)異的吸收性能和長(zhǎng)載流子壽命受到關(guān)注，但離子遷移、暗電流漂移及環(huán)境不穩(wěn)定性等問題仍制約其實(shí)際應(yīng)用。有機(jī)半導(dǎo)體具有機(jī)械柔性、低溫溶液可加工性、生物相容性及組織等效原子序數(shù)等優(yōu)勢(shì)，但歷上基于有機(jī)材料的X射線探測(cè)器遷移率低（<1 cm2 V?1 s?1）、暗電流高（納安級(jí)）、靈敏度遠(yuǎn)遜于無機(jī)材料，難以滿足高性能需求。本研究針對(duì)當(dāng)前計(jì)算光譜儀中光譜編碼器存在的帶寬有限、光通量低等關(guān)鍵問題，提出并實(shí)現(xiàn)了一種基于高折射率過渡金屬硫族化合物（TMDCs）的寬帶高分辨率快照光譜儀。該光譜儀在可見光至短波紅外波段表現(xiàn)出優(yōu)異的光學(xué)調(diào)制能力，為實(shí)時(shí)、高精度光譜傳感與成像提供了新的解決方案。

圖1. 設(shè)計(jì)原理與范式轉(zhuǎn)換性能

圖2. 厚度依賴性暗電流與柵極耗盡

核心創(chuàng)新點(diǎn)

本研究提出了一種性的探測(cè)器設(shè)計(jì)范式：將超薄、高遷移率的二維分子晶體集成到橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)中。該設(shè)計(jì)利用高度限域的面內(nèi)載流子傳輸通道，結(jié)合強(qiáng)大的柵極靜電調(diào)控能力，實(shí)現(xiàn)了載流子的耗盡和亞皮安級(jí)的暗電流。基于這一架構(gòu)，采用Ph-BTBT-10二維分子晶體制備的探測(cè)器獲得了創(chuàng)紀(jì)錄的5.91×101? μC Gy?1 cm?3體積靈敏度和1.43 nGy s?1的檢測(cè)限，全面超越了所有已報(bào)道的有機(jī)直接探測(cè)器，并可與的無機(jī)探測(cè)器相媲美。更重要的是，研究揭示了在超薄體系中，高遷移率比高原子序數(shù)對(duì)靈敏度的主導(dǎo)作用，了傳統(tǒng)探測(cè)器設(shè)計(jì)中“重原子優(yōu)先"的設(shè)計(jì)邏輯。

圖3. 衰減下的遷移率：關(guān)鍵性能指標(biāo)

圖4. 大面積陣列制造與低劑量成像演示

工作機(jī)制

該探測(cè)器的優(yōu)異性能源于材料與器件的協(xié)同設(shè)計(jì)。首先，僅數(shù)個(gè)分子層厚的二維分子晶體具有本征高電阻率，其限域的傳導(dǎo)路徑從根本上抑制了漏電流通道。其次，橫向有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)迫使電荷沿超薄、受控的源漏路徑傳輸，避免了傳統(tǒng)厚膜垂直器件中的多路徑傳導(dǎo)導(dǎo)致的暗電流放大。第三，通過施加適當(dāng)?shù)臇艠O偏壓，可將溝道中的載流子耗盡，進(jìn)一步將暗電流壓低至皮安水平，同時(shí)抑制低頻噪聲。研究系統(tǒng)對(duì)比了不同厚度（10-100 nm）器件的性能，證實(shí)10 nm超薄器件因耗盡而實(shí)現(xiàn)低暗電流（0.34 pA）和高靈敏度。更重要的是，通過對(duì)比不同元素組成（C/H、含S、含Se）的四種二維分子晶體（C6-DPA、DTT-8、Ph-BTBT-10、SZ-2），發(fā)現(xiàn)盡管含Se的SZ-2具有高的X射線吸收系數(shù)，但其低遷移率（0.32 cm2 V?1 s?1）導(dǎo)致靈敏度最差；而Ph-BTBT-10雖吸收系數(shù)中等，卻因超高遷移率（11.55 cm2 V?1 s?1）實(shí)現(xiàn)了優(yōu)性能。這表明在超薄體系中，載流子遷移率是比吸收系數(shù)更關(guān)鍵的靈敏度決定因素——高遷移率使光生載流子在復(fù)合前被快速收集，補(bǔ)償了有限厚度帶來的吸收不足。

應(yīng)用驗(yàn)證

研究進(jìn)一步展示了該技術(shù)的實(shí)用化潛力。通過空間限域生長(zhǎng)法，成功制備了大面積、連續(xù)的Ph-BTBT-10薄膜，并 patterning 成高密度10×10像素陣列。該陣列展現(xiàn)出優(yōu)異的均勻性：64個(gè)器件的平均暗電流為0.25 pA，暗電流密度僅6.25×10?1? A cm?2。器件在12 000秒的脈沖偏壓循環(huán)測(cè)試（100個(gè)周期）中性能無明顯衰減；在環(huán)境空氣中連續(xù)高劑量（7.85 mGy s?1）X射線輻照下，累積劑量達(dá)78.5 Gy后仍保持97%的初始性能；自然老化三個(gè)月后性能衰減僅3.3%。基于該10×10像素陣列，研究在低至10.17 nGy s?1的劑量率下成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)“T"“J"“U"圖案的高對(duì)比度X射線成像，驗(yàn)證了其在極低劑量下的成像能力。

參考文獻(xiàn)： 中國(guó)光學(xué)期刊網(wǎng)

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